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AI聊案例2023.12.20---三星GAA先進製程將超車台積電

Q:三星GAA先進製程將超車台積電
A:
三星放話要在5年內超車台積電，其中一個主要的秘密武器是GAA（Gate-All-Around）結構。GAA結構是一種全新的電晶體結構，與傳統的FinFET結構相比，具有更高的效能和功耗效率。三星是全球第一家量產GAA結構的晶圓代工廠，在3奈米製程上率先採用GAA結構。

此外，三星還在積極投資先進製程的研發。三星計劃在2025年量產2奈米製程，並在2027年量產1.8奈米製程。三星希望透過先進製程的領先，縮小與台積電的差距。

不過，三星要想真正超車台積電，還需要克服一些挑戰。其中一個挑戰是GAA結構的良率問題。GAA結構的良率較低，這可能會影響三星的出貨量。此外，三星在先進製程的研發方面，也需要面對來自台積電和英特爾等競爭對手的挑戰。

總體而言，三星在先進製程方面具有一定的優勢，但要想真正超車台積電，仍需努力。

以下是三星超車台積電的可能路徑：

在GAA結構的良率方面取得突破，並將GAA結構應用到更先進的製程。
在先進製程的研發方面持續投入，並保持領先地位。
透過併購或合作等方式，獲得更多先進製程技術。
如果三星能夠成功實現這些目標，那麼它將有可能在5年內超車台積電。